Navegando por Assunto "Graphene"
Agora exibindo 1 - 2 de 2
Resultados por página
Opções de Ordenação
Trabalho de Curso - Graduação - Monografia Acesso aberto (Open Access) Investigação do transporte eletrônico em grafeno e phagrapheno nanoribbons: puro e dopado(2019-11-19) NISIOKA, Kazuko Ramos; SILVA JÚNIOR, Carlos Alberto Brito da; http://lattes.cnpq.br/5067093267673117; https://orcid.org/0000-0002-7084-8491Com o constante avanço tecnológico, a área da Nanoeletrônica cresceu nos últimos anos, pela sua importância social no que diz respeito à demanda de dispositivos eletrônicos, cada vez mais sofisticados, resistentes e eficientes. Dentre os nanodispositivos mais estudados, temos o Grafeno e, atualmente, o Phagrafeno, que tem atraído bastante atenção, devido ser um alótropo do Grafeno que tem propriedades físicas similares. Neste trabalho, são investigadas as propriedades eletrônicas e de transporte de material quase 1-D, como as nanofitas de PhaGrapheno em zigue-zague (zzPGNR) dopadas com B e N. É feita uma comparação com materiais quase 1-D puros (zzPGNR e zzGNR) e dopados (zzGNR dopado com B e N) já bem conhecidos na literatura. A questão é: Quais mudanças e quais aplicações ocorrem nas propriedades desses materiais quando sua rede cristalina é modificada? Os cálculos foram realizados utilizando DFT sem spin para as propriedades eletrônicas da célula unitária via pacotes SIESTA/INELASTICA e posteriormente combinados com o NEGF (DFT/NEGF) via pacote TranSIESTA para obter as propriedades de transporte e de espectroscopia de voltagem de transição (TVS) para os dispositivos moleculares. Os resultados exibem o comportamento de transistor de efeito de campo (FET) e transição semicondutor-metal para o zzGNR dopado com B e N, enquanto que comportamento do diodo túnel ressonante (RTD) devido ao surgimento de resistências diferenciais negativas (NDRs) e transição metal-semicondutor para o zzPGNR dopado com B e N. O zzGNR dopado com B e N exibem comportamento de semicondutores do tipo p e n com bandas não degeneradas, enquanto que o zzPGNR dopado com B e N exibem comportamento metálico com bandas não degeneradas e degeneradas, respectivamente. Por fim, foi feito uma investigação do transporte eletrônico via tunelamento entre eletrodos de Carbyne que aumentando a distância na região de espalhamento entre os Carbynes sob voltagem externa aplicada observa-se que a corrente cai e o sistema quase não conduz para voltagens até 0.5V. Entretanto, para maiores voltagens ocorre a transição semicondutor-metal que pode ser observada nos Orbitais Moleculares de Fronteira (HOMO e LUMO) a 0V e 0.9V. Os dispositivos apresentam comportamento de chaveador (0V a 0.5V) e FET (0.5V a 1V).Trabalho de Curso - Graduação - Monografia Acesso aberto (Open Access) Simulação numérica de uma Antena Ressoadora Dielétrica (DRA) baseada em si, ag e grafeno para aplicações em espectro thz(2023-02-22) SANTOS, Marcos Gabriel Fernandes dos; COSTA, Marcos Benedito Caldas; http://lattes.cnpq.br/7636226766852440Neste trabalho, é realizado o estudo das características de radiação de duas antenas com camadas de grafeno, constituídas de componentes de silício e prata, operando na banda terahertz. Ambas antenas são dispositivos integrados com nano-disco de grafeno para controle dinâmico de respostas de frequência, obtendo desempenho potencializado pela modificação de componentes e subcomponentes específicos. O primeiro modelo de antena operando na faixa de frequência de 3,27 a 3,31 THz possui uma superfície denominada Patch de microfita não ressoante (NMP) a qual é responsável por operar como superfície seletora de modo eletromagnético de resposta. De maneira análoga o segundo modelo de antena consiste em um ressoador dielétrico cilíndrico, contudo, é uma antena a qual foi projetada por um método singular visando subcomponentes em escala menor e elevada largura de banda podendo operar em diferentes faixas de frequência em função do grafeno, modelo este operante na faixa de frequência de 7,24 - 7,27 THz. Quando se considera a variação de temperatura do nano-disco de grafeno e mantém-se os valores de porta química desse material fixos, mudanças desprezíveis ocorrem na forma como a antena tem seu controle de resposta de frequência. É mostrado que o primeiro modelo de antena opera com eficiência na casa dos 84%, já o segundo modelo de antena apresentou resultados de perda de retorno e largura de banda muito superiores, alcançando um coeficiente de reflexão de -54.9501 dB e largura de banda de 0,35 THz. Se comparados os modelos é possível aferir que o primeiro modelo de antena obteve melhor valor de eficiência de radiação, contudo, o segundo modelo apresentou maior proximidade com protótipos físicos, obtendo melhor casamento de impedâncias e consequentemente maior eficiência como antena.